接触孔的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210112924.1

申请日：

2012-04-17

公开(公告)号：

CN103377986B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

陈逸男徐文吉叶绍文刘献文

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	授权	授权
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545324612 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101129241 申请日:20120417

共 50 条

[1]

接触孔的制作方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103377985A ,2013-10-30

[2]

接触孔的制作方法 [P].

黄志勇 ;

张欢欢 ;

余鹏 ;

王玉新 ;

冯大贵 .

中国专利 :CN113629007A ,2021-11-09

[3]

接触孔的制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN102299100A ,2011-12-28

[4]

接触孔的制作方法 [P].

夏建慧 ;

顾以理 ;

奚裴 ;

张博 ;

张雄 .

中国专利 :CN102522371A ,2012-06-27

[5]

接触孔的制作方法 [P].

张瑜 ;

黄海 ;

李全波 .

中国专利 :CN102931134B ,2013-02-13

[6]

半导体工艺中接触孔的制作方法 [P].

康小磊 ;

吴方锐 ;

余忠宁 ;

孙九龙 ;

苏洋 ;

刘欣 ;

焦志强 ;

杨林荣 .

中国专利 :CN118610160A ,2024-09-06

[7]

半导体接触孔的制作方法 [P].

孙九龙 ;

何德飚 ;

吴方锐 ;

杨林荣 ;

苏洋 ;

刘欣 ;

焦志强 ;

余忠宁 ;

康小磊 .

中国专利 :CN118737954A ,2024-10-01

[8]

自对准接触孔的小尺寸MOSFET结构及制作方法 [P].

邵向荣 ;

张朝阳 .

中国专利 :CN103545364B ,2014-01-29

[9]

一种接触孔及其制作方法 [P].

廖军 ;

张志敏 .

中国专利 :CN114334811A ,2022-04-12

[10]

接触塞的制作方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 .

中国专利 :CN102347270A ,2012-02-08

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