一种接触孔及其制作方法

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申请号
CN202210244493.8
申请日
2022-03-14
公开(公告)号
CN114334811A
公开(公告)日
2022-04-12
发明(设计)人
廖军 张志敏
申请人
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21027 H01L21311 H01L23522
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种IGBT器件及接触孔结构的制作方法 [P]. 
王灯灰 ;
王欢 ;
吴恒 .
中国专利 :CN120199726A ,2025-06-24
[2]
接触孔的制作方法 [P]. 
陈逸男 ;
徐文吉 ;
叶绍文 ;
刘献文 .
中国专利 :CN103377986B ,2013-10-30
[3]
半导体工艺中接触孔的制作方法 [P]. 
康小磊 ;
吴方锐 ;
余忠宁 ;
孙九龙 ;
苏洋 ;
刘欣 ;
焦志强 ;
杨林荣 .
中国专利 :CN118610160A ,2024-09-06
[4]
层叠孔结构及其制作方法 [P]. 
王小艳 ;
王星杰 ;
宗立超 .
中国专利 :CN112164671A ,2021-01-01
[5]
接触孔的制作方法 [P]. 
张瑜 ;
黄君 ;
盖晨光 .
中国专利 :CN102969275B ,2013-03-13
[6]
接触孔的制作方法 [P]. 
夏建慧 ;
顾以理 ;
奚裴 ;
张博 ;
张雄 .
中国专利 :CN102522371A ,2012-06-27
[7]
接触孔的制作方法 [P]. 
张瑜 ;
黄海 ;
李全波 .
中国专利 :CN102931134B ,2013-02-13
[8]
接触孔及制作方法 [P]. 
石卓 ;
鲁国 ;
李振文 .
中国专利 :CN117878056A ,2024-04-12
[9]
半导体接触孔的制作方法 [P]. 
孙九龙 ;
何德飚 ;
吴方锐 ;
杨林荣 ;
苏洋 ;
刘欣 ;
焦志强 ;
余忠宁 ;
康小磊 .
中国专利 :CN118737954A ,2024-10-01
[10]
接触孔及其制作方法、半导体器件 [P]. 
汪洋 .
中国专利 :CN102569182B ,2012-07-11