层叠孔结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010943998.4
申请日
2020-09-10
公开(公告)号
CN112164671A
公开(公告)日
2021-01-01
发明(设计)人
王小艳 王星杰 宗立超
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23522 H01L23528
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
罗雅文
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
李宁 .
中国专利 :CN112018039A ,2020-12-01
[2]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
刘成杰 ;
王叶东 ;
郭守伟 .
中国专利 :CN120784211A ,2025-10-14
[3]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
金镇泳 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
李琳 .
中国专利 :CN111900167A ,2020-11-06
[4]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
金镇泳 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
李琳 .
中国专利 :CN111900167B ,2024-04-05
[5]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
金星 .
中国专利 :CN112885782B ,2021-06-01
[6]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
刘成杰 ;
王叶东 ;
郭守伟 .
中国专利 :CN120784211B ,2025-12-09
[7]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
李宁 .
中国专利 :CN112018039B ,2024-12-06
[8]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
朱业明 ;
赵伟国 .
中国专利 :CN113257737A ,2021-08-13
[9]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
陈涛 ;
许宗能 .
中国专利 :CN114743952A ,2022-07-12
[10]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN103681596B ,2014-03-26