半导体结构及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210664153.0

申请日：

2022-06-14

公开(公告)号：

CN114743952A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

陈涛许宗能

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20220614
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900167A ,2020-11-06

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

金镇泳 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

李琳 .

中国专利 :CN111900167B ,2024-04-05

[3]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

黄其赞 .

中国专利 :CN117594524A ,2024-02-23

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

李宁 .

中国专利 :CN112018039A ,2020-12-01

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘成杰 ;

王叶东 ;

郭守伟 .

中国专利 :CN120784211A ,2025-10-14

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡荃 .

中国专利 :CN119993911A ,2025-05-13

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

涂言铭 ;

叶长福 .

中国专利 :CN120379331A ,2025-07-25

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

金星 .

中国专利 :CN112885782B ,2021-06-01

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN116801621B ,2024-07-19

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘成杰 ;

王叶东 ;

郭守伟 .

中国专利 :CN120784211B ,2025-12-09

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