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半导体结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911208941.3
申请日：
2019-11-30
公开(公告)号：
CN112885782B
公开(公告)日：
2021-06-01
发明(设计)人：
金星
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-06-24 | 授权 | 授权 |
| 2021-06-01 | 公开 | 公开 |
| 2021-06-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20191130 |