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半导体结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510159276.2
申请日：
2025-02-13
公开(公告)号：
CN119993911A
公开(公告)日：
2025-05-13
发明(设计)人：
胡荃
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/311
H01L23/538
代理机构：
上海隆天律师事务所 31282
代理人：
马燕琪;夏彬
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-05-13 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250213 |