半导体结构的制作方法及半导体结构

被引：0

申请号：

CN202110126271.1

申请日：

2021-01-29

公开(公告)号：

CN114823539A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

夏军宛强徐朋辉刘涛李森占康澍

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20210129

共 50 条

[1]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

夏军 ;

宛强 ;

徐朋辉 ;

刘涛 ;

李森 ;

占康澍 .

中国专利 :CN114823539B ,2024-07-02

[2]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

赵文礼 .

中国专利 :CN115084031A ,2022-09-20

[3]

半导体结构制作方法及半导体结构 [P].

王晓光 ;

李辉辉 ;

张强 ;

汪珊 ;

吴敏敏 .

中国专利 :CN116206970B ,2025-07-04

[4]

半导体结构制作方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

刘忠明 ;

夏军 ;

白世杰 .

中国专利 :CN114725101A ,2022-07-08

[5]

半导体结构制作方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

夏军 ;

刘忠明 ;

白世杰 .

中国专利 :CN112864157B ,2021-05-28

[6]

半导体结构制作方法及半导体结构 [P].

王晓光 ;

李辉辉 ;

张强 ;

汪珊 ;

吴敏敏 .

中国专利 :CN116206969B ,2025-09-26

[7]

半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构 [P].

章慧 ;

吴双双 ;

王春阳 .

中国专利 :CN118824940A ,2024-10-22

[8]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

陈翔 ;

王磊磊 ;

张阳 .

中国专利 :CN118073396A ,2024-05-24

[9]

半导体结构及半导体结构的制作方法 [P].

孙雨萌 .

中国专利 :CN115662990A ,2023-01-31

[10]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

朱黄霞 ;

李雄 ;

郭肖林 .

中国专利 :CN114883253A ,2022-08-09

← 1 2 3 4 5 →