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半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310385935.5
申请日：
2023-04-07
公开(公告)号：
CN118824940A
公开(公告)日：
2024-10-22
发明(设计)人：
章慧
吴双双
王春阳
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L23/528
H01L23/538
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-12 | 授权 | 授权 |
| 2024-11-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20230407 |
| 2024-10-22 | 公开 | 公开 |