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半导体结构及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010596889.X
申请日：
2020-06-28
公开(公告)号：
CN111900167A
公开(公告)日：
2020-11-06
发明(设计)人：
金镇泳 李俊杰 周娜 李琳
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
佟林松
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200628
2020-11-06 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
金镇泳 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
李琳 .
中国专利 :CN111900167B ,2024-04-05
[2]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
陈涛 ;
许宗能 .
中国专利 :CN114743952A ,2022-07-12
[3]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
李宁 .
中国专利 :CN112018039A ,2020-12-01
[4]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
刘成杰 ;
王叶东 ;
郭守伟 .
中国专利 :CN120784211A ,2025-10-14
[5]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
胡荃 .
中国专利 :CN119993911A ,2025-05-13
[6]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
金星 .
中国专利 :CN112885782B ,2021-06-01
[7]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN116801621B ,2024-07-19
[8]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
刘成杰 ;
王叶东 ;
郭守伟 .
中国专利 :CN120784211B ,2025-12-09
[9]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN103681596B ,2014-03-26
[10]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
肖帅 ;
马万里 .
中国专利 :CN119677156A ,2025-03-21
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