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嵌入式电容结构
被引:0
申请号
:
CN202122599006.3
申请日
:
2021-10-27
公开(公告)号
:
CN216435932U
公开(公告)日
:
2022-05-03
发明(设计)人
:
朱庆芳
申请人
:
申请人地址
:
362000 福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号
IPC主分类号
:
H01L4902
IPC分类号
:
代理机构
:
厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204
代理人
:
连耀忠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-03
授权
授权
共 50 条
[1]
嵌入式电容结构
[P].
卢志卫
论文数:
0
引用数:
0
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0
卢志卫
;
乐文肯
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乐文肯
;
王志昆
论文数:
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王志昆
;
卫莱莱
论文数:
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0
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卫莱莱
.
中国专利
:CN101189925A
,2008-05-28
[2]
嵌入式电容结构及其制作方法
[P].
朱庆芳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
泉州市三安集成电路有限公司
泉州市三安集成电路有限公司
朱庆芳
.
中国专利
:CN114094012B
,2025-07-08
[3]
嵌入式电容结构及其制作方法
[P].
朱庆芳
论文数:
0
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0
朱庆芳
.
中国专利
:CN114094012A
,2022-02-25
[4]
嵌入式电感结构
[P].
朱庆芳
论文数:
0
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0
朱庆芳
.
中国专利
:CN216435933U
,2022-05-03
[5]
嵌入式电容结构、存储装置
[P].
赵忠强
论文数:
0
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0
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0
赵忠强
.
中国专利
:CN209119168U
,2019-07-16
[6]
嵌入式电容器
[P].
严捷华
论文数:
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0
严捷华
.
中国专利
:CN209015897U
,2019-06-21
[7]
嵌入式电容叠层
[P].
乔治·杜德尼科夫
论文数:
0
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0
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0
乔治·杜德尼科夫
.
中国专利
:CN101682989A
,2010-03-24
[8]
嵌入式电容及其制备方法
[P].
崔成强
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崔成强
;
赖韬
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赖韬
;
张昱
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张昱
.
中国专利
:CN109302797B
,2019-02-01
[9]
嵌入式照明结构
[P].
肖敏
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肖敏
;
杨德鑫
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杨德鑫
.
中国专利
:CN208634913U
,2019-03-22
[10]
嵌入式密封结构
[P].
何修伟
论文数:
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何修伟
;
周水峰
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周水峰
;
冯军
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冯军
;
刘光勇
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刘光勇
;
陈文君
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陈文君
.
中国专利
:CN203115089U
,2013-08-07
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