嵌入式电容及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811248544.4
申请日
2018-10-25
公开(公告)号
CN109302797B
公开(公告)日
2019-02-01
发明(设计)人
崔成强 赖韬 张昱
申请人
申请人地址
511458 广东省广州市南沙区南沙资讯科技园科技楼
IPC主分类号
H05K116
IPC分类号
H01G400 H01G408 H01G420
代理机构
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100
代理人
罗毅萍;刘杉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置 [P]. 
赵忠强 .
中国专利 :CN111403601A ,2020-07-10
[2]
嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置 [P]. 
赵忠强 .
中国专利 :CN111403601B ,2025-03-28
[3]
嵌入式电容结构 [P]. 
朱庆芳 .
中国专利 :CN216435932U ,2022-05-03
[4]
嵌入式电容结构 [P]. 
卢志卫 ;
乐文肯 ;
王志昆 ;
卫莱莱 .
中国专利 :CN101189925A ,2008-05-28
[5]
嵌入式电容结构及其制作方法 [P]. 
朱庆芳 .
中国专利 :CN114094012B ,2025-07-08
[6]
嵌入式电容结构及其制作方法 [P]. 
朱庆芳 .
中国专利 :CN114094012A ,2022-02-25
[7]
嵌入式电容器 [P]. 
严捷华 .
中国专利 :CN305103733S ,2019-04-09
[8]
嵌入式电容叠层 [P]. 
乔治·杜德尼科夫 .
中国专利 :CN101682989A ,2010-03-24
[9]
具有嵌入式电容的半导体装置及其制造方法 [P]. 
刘铭棋 ;
罗际兴 .
中国专利 :CN101086992A ,2007-12-12
[10]
嵌入式电容印刷线路板及其制作方法 [P]. 
任代学 ;
王晓伟 ;
黄德业 .
中国专利 :CN101772263A ,2010-07-07