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嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910005114.8
申请日：
2019-01-03
公开(公告)号：
CN111403601B
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
赵忠强
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H10N97/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-28 | 授权 | 授权 |