电容阵列及其制备方法、存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910603493.0

申请日：

2019-07-05

公开(公告)号：

CN112185886A

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

徐正弘

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L2170

IPC分类号：

H01L2184 H01L2701 H01L27108 H01L2711 H01L2713 H01L4902

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

王辉;阚梓瑄

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/70 申请日:20190705
2021-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

电容阵列及其制备方法、存储装置 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN112185886B ,2025-01-14

[2]

电容阵列及存储装置 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN210110740U ,2020-02-21

[3]

存储阵列及其制备方法、存储装置、电子设备 [P].

谭万良 ;

周鹏宇 ;

蔡佳林 .

中国专利 :CN120529579A ,2025-08-22

[4]

存储装置及其制备方法 [P].

李军辉 .

中国专利 :CN119486123A ,2025-02-18

[5]

存储装置及其制备方法 [P].

李军辉 .

中国专利 :CN119486123B ,2025-11-11

[6]

嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置 [P].

赵忠强 .

中国专利 :CN111403601A ,2020-07-10

[7]

嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置 [P].

赵忠强 .

中国专利 :CN111403601B ,2025-03-28

[8]

存储装置及其制备方法 [P].

M·P·雷纳维卡 ;

G·H·奥斯卡斯多蒂尔 .

中国专利 :CN100538895C ,2007-03-28

[9]

NAND闪存存储装置及其制备方法 [P].

金汉洙 ;

高伟 ;

申女 .

中国专利 :CN120857500A ,2025-10-28

[10]

具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置 [P].

名取荣治 ;

长谷川和正 ;

小口幸一 ;

西川尚男 ;

下田达也 .

中国专利 :CN1388990A ,2003-01-01

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