绝缘栅极型半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780008242.3

申请日：

2007-01-26

公开(公告)号：

CN101401212A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

高谷秀史浜田公守宫城恭辅

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L2908 H01L29423 H01L21265

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷;南霆

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20200410 变更事项:专利权人变更前权利人:丰田自动车株式会社变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-29	授权	授权
2009-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法 [P].

L·德-米奇伊里斯 ;

M·拉希莫 ;

C·科瓦斯塞 .

中国专利 :CN112930601A ,2021-06-08

[2]

绝缘栅型半导体器件及其制造方法 [P].

高谷秀史 ;

滨田公守 ;

黑柳晃 ;

大仓康嗣 ;

户仓规仁 .

中国专利 :CN100557819C ,2006-11-15

[3]

绝缘栅极型半导体装置及其制造方法 [P].

恩田全人 ;

久保博稔 ;

宫原正二 ;

石田裕康 ;

斋藤洋明 .

中国专利 :CN100449781C ,2005-07-27

[4]

环绕栅极型半导体器件及其制造方法 [P].

张太洙 .

中国专利 :CN101635309A ,2010-01-27

[5]

具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

山岸和夫 .

中国专利 :CN1118101C ,1999-03-10

[6]

绝缘栅极半导体器件 [P].

河野宪司 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN102148239B ,2011-08-10

[7]

绝缘栅半导体器件及其制造方法 [P].

大月正人 .

中国专利 :CN1812121A ,2006-08-02

[8]

绝缘栅半导体器件及其制造方法 [P].

小野泽勇一 .

中国专利 :CN101308871B ,2008-11-19

[9]

多栅极半导体器件及其制造方法 [P].

魏焕昇 ;

江宏礼 ;

刘佳雯 ;

许义明 ;

吴志强 ;

吴忠政 ;

梁英强 .

中国专利 :CN108074983A ,2018-05-25

[10]

绝缘栅极型半导体装置及其制造方法 [P].

石川隆正 ;

八尾典明 ;

野口晴司 .

日本专利 :CN111668301B ,2025-02-21

← 1 2 3 4 5 →