绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980068533.4

申请日：

2019-09-13

公开(公告)号：

CN112930601A

公开(公告)日：

2021-06-08

发明(设计)人：

L·德-米奇伊里斯 M·拉希莫 C·科瓦斯塞

申请人：

申请人地址：

瑞士巴登

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

魏小薇;吴丽丽

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/739 变更事项:申请人变更前:ABB电网瑞士股份公司变更后:日立能源瑞士股份公司变更事项:地址变更前:瑞士巴登变更后:瑞士巴登
2021-06-08	公开	公开
2021-12-10	授权	授权
2021-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190913

共 50 条

[1]

绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法 [P].

L.德-米歇利斯 ;

C.科瓦斯 .

中国专利 :CN109314130A ,2019-02-05

[2]

绝缘栅功率半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·E·休廷 ;

E·A·希泽恩 ;

M·A·A·恩特赞特 .

中国专利 :CN100541817C ,2006-08-23

[3]

绝缘栅极型半导体器件及其制造方法 [P].

高谷秀史 ;

浜田公守 ;

宫城恭辅 .

中国专利 :CN101401212A ,2009-04-01

[4]

具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

山岸和夫 .

中国专利 :CN1118101C ,1999-03-10

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 .

中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113725298B ,2025-06-03

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李泰勋 ;

赵准煕 ;

郑真诚 .

中国专利 :CN110277441A ,2019-09-24

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