绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780036270.X

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN109314130A

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

L.德-米歇利斯 C.科瓦斯

申请人：

申请人地址：

瑞士巴登

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2966 H01L29739

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

徐予红;刘春元

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:ABB电网瑞士股份公司变更后:日立能源瑞士股份公司变更事项:地址变更前:瑞士巴登变更后:瑞士巴登
2019-02-05	公开	公开
2020-05-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20200509 变更事项:申请人变更前权利人:ABB瑞士股份有限公司变更后权利人:ABB电网瑞士股份公司变更事项:地址变更前权利人:瑞士巴登变更后权利人:瑞士巴登
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170411
2022-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法 [P].

L·德-米奇伊里斯 ;

M·拉希莫 ;

C·科瓦斯塞 .

中国专利 :CN112930601A ,2021-06-08

[2]

功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

H·库拉斯 .

中国专利 :CN104517917B ,2015-04-15

[3]

功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P].

让·米切尔·雷内斯 ;

斯特凡·阿尔维斯 ;

阿兰·德朗 ;

布兰迪诺·洛佩斯 ;

乔尔·马尔盖里塔 .

中国专利 :CN101228636A ,2008-07-23

[4]

半导体器件以及这种半导体器件的制造方法 [P].

张须坤 ;

朱春林 ;

严晓雯 ;

姜克 .

中国专利 :CN120021378A ,2025-05-20

[5]

半导体器件以及制造这种半导体器件的方法 [P].

伊藤吉博 ;

门田道雄 .

中国专利 :CN100376035C ,2005-08-24

[6]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[7]

绝缘栅极半导体器件 [P].

河野宪司 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN102148239B ,2011-08-10

[8]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[10]

功率半导体器件及用于制造功率半导体器件的方法 [P].

李光远 ;

徐永浩 ;

马丁·多梅杰 ;

朴金硕 .

中国专利 :CN112397590A ,2021-02-23

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