半导体制造方法以及半导体制造装置

被引:0
申请号
CN202180017655.8
申请日
2021-06-09
公开(公告)号
CN115707346A
公开(公告)日
2023-02-17
发明(设计)人
山口欣秀
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21302
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
刘文海
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造方法和半导体制造装置 [P]. 
山口欣秀 ;
佐藤清彦 .
日本专利 :CN114916240B ,2025-11-21
[2]
半导体制造方法和半导体制造装置 [P]. 
山口欣秀 ;
佐藤清彦 .
中国专利 :CN114916240A ,2022-08-16
[3]
半导体制造装置以及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN110383428A ,2019-10-25
[4]
半导体制造装置以及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN110073479A ,2019-07-30
[5]
半导体制造装置以及半导体制造方法 [P]. 
藤仓序章 .
中国专利 :CN106688079A ,2017-05-17
[6]
半导体制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
青山敬幸 ;
加藤慎一 .
中国专利 :CN105428400A ,2016-03-23
[7]
半导体制造装置以及半导体制造方法 [P]. 
藤仓序章 .
中国专利 :CN106796872B ,2017-05-31
[8]
半导体制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
有马博纪 ;
芦泽公一 .
日本专利 :CN112889137B ,2025-02-25
[9]
半导体制造装置以及半导体制造方法 [P]. 
水谷卓也 ;
小峰信洋 .
中国专利 :CN115050667A ,2022-09-13
[10]
半导体制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
有马博纪 ;
芦泽公一 .
中国专利 :CN112889137A ,2021-06-01