发光二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310374417.X

申请日：

2013-08-23

公开(公告)号：

CN104425669A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

陈耀邢志刚李振毅王雪娟郝茂盛

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3302 H01L3300

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20150318
2015-03-18	公开	公开
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605752034 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:201310374417X 申请日:20130823

共 50 条

[1]

发光二极管及其制作方法、发光装置 [P].

王瑜 ;

赵豆豆 ;

李遥 ;

钱承红 ;

李政鸿 ;

林兓兓 .

中国专利 :CN119630139A ,2025-03-14

[2]

发光二极管及其制作方法 [P].

沈佳辉 ;

洪梓健 .

中国专利 :CN102201426A ,2011-09-28

[3]

发光二极管及其制作方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

龚逸品 ;

梅劲 .

中国专利 :CN117936672A ,2024-04-26

[4]

发光二极管及其制作方法 [P].

张楠 ;

周健华 ;

朱广敏 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN102299218B ,2011-12-28

[5]

发光二极管及其制作方法 [P].

蒙成 ;

吴俊毅 ;

陶青山 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN104638078A ,2015-05-20

[6]

发光二极管及其制作方法 [P].

洪梓健 ;

凃博闵 ;

陈学龙 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN111276595A ,2020-06-12

[7]

发光二极管及其制作方法 [P].

张楠 ;

周健华 ;

朱广敏 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN102290503B ,2011-12-21

[8]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[9]

一种发光二极管及其制作方法 [P].

张楠 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN103700749A ,2014-04-02

[10]

倒装高压发光二极管及其制作方法 [P].

郭金霞 ;

田婷 ;

赵勇兵 ;

刘志强 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103855149A ,2014-06-11

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