发光二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010130080.4

申请日：

2010-03-23

公开(公告)号：

CN102201426A

公开(公告)日：

2011-09-28

发明(设计)人：

沈佳辉洪梓健

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3364

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/15 变更事项:专利权人变更前:常熟市知识产权运营中心有限公司变更后:常熟市知识产权运营中心有限公司变更事项:地址变更前:215500 江苏省苏州市常熟市草荡路13号变更后:215500 江苏省苏州市常熟市常福街道联丰路68号4号楼5楼
2016-05-04	授权	授权
2011-09-28	公开	公开
2020-11-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/15 登记生效日:20201104 变更事项:专利权人变更前权利人:展晶科技（深圳）有限公司变更后权利人:常熟市知识产权运营中心有限公司变更事项:地址变更前权利人:518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更后权利人:江苏省苏州市常熟市草荡路13号变更事项:专利权人变更前权利人:荣创能源科技股份有限公司
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101137311441 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2010101300804 申请日:20100323

共 50 条

[1]

发光二极管及其制作方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

龚逸品 ;

梅劲 .

中国专利 :CN117936672A ,2024-04-26

[2]

发光二极管及其制作方法 [P].

陈耀 ;

邢志刚 ;

李振毅 ;

王雪娟 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN104425669A ,2015-03-18

[3]

发光二极管及其制作方法 [P].

蒙成 ;

吴俊毅 ;

陶青山 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN104638078A ,2015-05-20

[4]

发光二极管及其制作方法 [P].

洪梓健 ;

凃博闵 ;

陈学龙 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN111276595A ,2020-06-12

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[6]

倒装高压发光二极管及其制作方法 [P].

郭金霞 ;

田婷 ;

赵勇兵 ;

刘志强 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103855149A ,2014-06-11

[7]

发光二极管及其制作方法、发光装置 [P].

王瑜 ;

赵豆豆 ;

李遥 ;

钱承红 ;

李政鸿 ;

林兓兓 .

中国专利 :CN119630139A ,2025-03-14

[8]

倒装发光二极管及其制作方法 [P].

曾晓强 ;

陈顺平 ;

潘群峰 ;

黄少华 .

中国专利 :CN102931313B ,2013-02-13

[9]

倒装发光二极管及其制作方法 [P].

熊伟平 ;

钟秉宪 ;

吴俊毅 ;

吴超瑜 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN108767081A ,2018-11-06

[10]

发光二极管及发光二极管制作方法 [P].

王世俊 ;

赵秀梅 ;

宋木 ;

李彤 ;

邢振远 ;

王洪占 .

中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23

← 1 2 3 4 5 →