一种用十二烷基三乙氧基硅烷制备疏水SiO2增透膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610888321.9

申请日：

2016-10-12

公开(公告)号：

CN106477909A

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

张欣向孙盈盈胡星宇杨文斌

申请人：

申请人地址：

350002 福建省福州市仓山区上下店路15号

IPC主分类号：

C03C1725

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710763522 IPC(主分类):C03C 17/25 专利申请号:2016108883219 申请日:20161012
2019-12-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 17/25 申请公布日:20170308

共 50 条

[1]

一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法 [P].

张欣向 ;

胡星宇 ;

孙盈盈 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN106630668A ,2017-05-10

[2]

一种疏水SiO2增透膜的制备方法 [P].

张欣向 ;

胡星宇 ;

孙盈盈 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN106477908A ,2017-03-08

[3]

一种有机‑无机杂化法制备疏水SiO2增透膜的方法 [P].

张欣向 ;

孙盈盈 ;

胡星宇 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN106431001A ,2017-02-22

[4]

一种用苯基三乙氧基硅烷制备折射率可控的疏水二氧化硅增透膜的方法 [P].

张欣向 ;

李健 ;

郑加贤 ;

黄雨东 ;

孙盈盈 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN107540241A ,2018-01-05

[5]

三乙氧基硅烷的生产方法 [P].

虞人杰 ;

陈俊律 ;

祝永胜 .

中国专利 :CN1810811A ,2006-08-02

[6]

一种新型异丁基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

杨金鑫 ;

皮丕辉 ;

周子鹄 ;

文秀芳 .

中国专利 :CN102219802B ,2011-10-19

[7]

一种氯丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

孔德强 ;

齐峰全 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN109503651A ,2019-03-22

[8]

一种苯基三乙氧基硅烷制备方法 [P].

杨秀莲 .

中国专利 :CN109180721A ,2019-01-11

[9]

烯丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

郭示欣 ;

李丽 ;

李荧 ;

高振杰 ;

金东升 .

中国专利 :CN101054389A ,2007-10-17

[10]

γ-氨丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

孔德雨 ;

陈若成 ;

王汝坤 ;

翟恒泰 ;

孔令弘 ;

王仲安 ;

孔勇 .

中国专利 :CN1107853A ,1995-09-06

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