一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610888398.6

申请日：

2016-10-12

公开(公告)号：

CN106630668A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

张欣向胡星宇孙盈盈杨文斌

申请人：

申请人地址：

350002 福建省福州市仓山区上下店路15号

IPC主分类号：

C03C1725

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 17/25 申请公布日:20170510
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724591393 IPC(主分类):C03C 17/25 专利申请号:2016108883986 申请日:20161012
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用十二烷基三乙氧基硅烷制备疏水SiO2增透膜的方法 [P].

张欣向 ;

孙盈盈 ;

胡星宇 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN106477909A ,2017-03-08

[2]

一种用苯基三乙氧基硅烷制备折射率可控的疏水二氧化硅增透膜的方法 [P].

张欣向 ;

李健 ;

郑加贤 ;

黄雨东 ;

孙盈盈 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN107540241A ,2018-01-05

[3]

一种疏水SiO2增透膜的制备方法 [P].

张欣向 ;

胡星宇 ;

孙盈盈 ;

杨文斌 .

中国专利 :CN106477908A ,2017-03-08

[4]

γ-氨丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

孔德雨 ;

陈若成 ;

王汝坤 ;

翟恒泰 ;

孔令弘 ;

王仲安 ;

孔勇 .

中国专利 :CN1107853A ,1995-09-06

[5]

烯丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

郭示欣 ;

李丽 ;

李荧 ;

高振杰 ;

金东升 .

中国专利 :CN101054389A ,2007-10-17

[6]

一种氯丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

孔德强 ;

齐峰全 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN109503651A ,2019-03-22

[7]

一种γ-氨丙基三乙氧基硅烷的制备工艺 [P].

吴兵兵 ;

符正铭 ;

陈圣云 ;

阮少阳 ;

李云强 ;

甘俊 ;

甘书官 .

中国专利 :CN104961762A ,2015-10-07

[8]

一种γ‑巯丙基三乙氧基硅烷的制备方法 [P].

赖超帆 ;

刘峰 ;

赵荣祥 ;

马学鹏 .

中国专利 :CN107522730A ,2017-12-29

[9]

γ-巯丙基三乙氧基硅烷的生产方法 [P].

丁建峰 .

中国专利 :CN101392003A ,2009-03-25

[10]

制备氰硫基丙基三乙氧基硅烷的方法 [P].

赫尔穆特·德勒格 ;

杨慧丽 .

中国专利 :CN1265396A ,2000-09-06

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