硅片刻蚀清洗下片机

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721924911.9

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN207909851U

公开(公告)日：

2018-09-25

发明(设计)人：

董晓清杜广亮

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市无锡新区硕放工业集中区五期C20-2号地块

IPC主分类号：

H01L21677

IPC分类号：

H01L2167 H01L3118

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

张欢勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	授权	授权
2022-03-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/677 变更事项:专利权人变更前:无锡市江松科技有限公司变更后:无锡江松科技股份有限公司变更事项:地址变更前:214028 江苏省无锡市无锡新区硕放工业集中区五期C20-2号地块变更后:214000 江苏省无锡市新吴区硕放长江东路208号

共 50 条

[1]

硅片刻蚀清洗机 [P].

黄林松 .

中国专利 :CN308446135S ,2024-01-30

[2]

硅片刻蚀设备 [P].

许明金 ;

邓清龙 ;

符昌京 ;

王诗造 ;

陈耀军 .

中国专利 :CN204332925U ,2015-05-13

[3]

硅片刻蚀装置 [P].

赵莉珍 ;

何刚 .

中国专利 :CN220341181U ,2024-01-12

[4]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN214624988U ,2021-11-05

[5]

硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN211957617U ,2020-11-17

[6]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[7]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[8]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266B ,2025-08-22

[9]

硅片刻蚀设备 [P].

蒋旭东 ;

张弛 ;

王志刚 ;

王四海 ;

蒋成斌 ;

顾建 .

中国专利 :CN111916376A ,2020-11-10

[10]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266A ,2021-07-23

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