硅片刻蚀装置

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专利类型
实用新型
申请号
CN202120817871.8
申请日
2021-04-20
公开(公告)号
CN214624988U
公开(公告)日
2021-11-05
发明(设计)人
吴佳俊
申请人
申请人地址
213213 江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258
代理人
张云
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
硅片刻蚀装置 [P]. 
吴佳俊 .
中国专利 :CN113161266B ,2025-08-22
[2]
硅片刻蚀装置 [P]. 
吴佳俊 .
中国专利 :CN113161266A ,2021-07-23
[3]
硅片刻蚀装置 [P]. 
赵莉珍 ;
何刚 .
中国专利 :CN220341181U ,2024-01-12
[4]
硅片刻蚀设备 [P]. 
许明金 ;
邓清龙 ;
符昌京 ;
王诗造 ;
陈耀军 .
中国专利 :CN204332925U ,2015-05-13
[5]
硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备 [P]. 
衡鹏 .
中国专利 :CN211957617U ,2020-11-17
[6]
硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P]. 
衡鹏 .
中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09
[7]
硅片刻蚀方法 [P]. 
严利均 ;
浦远 ;
黄秋平 ;
许颂临 .
中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29
[8]
硅片刻蚀方法 [P]. 
杨柏 .
中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16
[9]
硅片刻蚀设备 [P]. 
蒋旭东 ;
张弛 ;
王志刚 ;
王四海 ;
蒋成斌 ;
顾建 .
中国专利 :CN111916376A ,2020-11-10
[10]
硅片刻蚀方法 [P]. 
胡竞之 ;
蒋中伟 .
中国专利 :CN105097488A ,2015-11-25