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硅片刻蚀装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202120817871.8
申请日
:
2021-04-20
公开(公告)号
:
CN214624988U
公开(公告)日
:
2021-11-05
发明(设计)人
:
吴佳俊
申请人
:
申请人地址
:
213213 江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
代理机构
:
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258
代理人
:
张云
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-05
授权
授权
共 50 条
[1]
硅片刻蚀装置
[P].
吴佳俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
常州亿晶光电科技有限公司
常州亿晶光电科技有限公司
吴佳俊
.
中国专利
:CN113161266B
,2025-08-22
[2]
硅片刻蚀装置
[P].
吴佳俊
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0
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0
吴佳俊
.
中国专利
:CN113161266A
,2021-07-23
[3]
硅片刻蚀装置
[P].
赵莉珍
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
赵莉珍
;
何刚
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0
机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
何刚
.
中国专利
:CN220341181U
,2024-01-12
[4]
硅片刻蚀设备
[P].
许明金
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许明金
;
邓清龙
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邓清龙
;
符昌京
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符昌京
;
王诗造
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王诗造
;
陈耀军
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陈耀军
.
中国专利
:CN204332925U
,2015-05-13
[5]
硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备
[P].
衡鹏
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衡鹏
.
中国专利
:CN211957617U
,2020-11-17
[6]
硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置
[P].
衡鹏
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衡鹏
.
中国专利
:CN112349583A
,2021-02-09
[7]
硅片刻蚀方法
[P].
严利均
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严利均
;
浦远
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浦远
;
黄秋平
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黄秋平
;
许颂临
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许颂临
.
中国专利
:CN104124148B
,2014-10-29
[8]
硅片刻蚀方法
[P].
杨柏
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0
杨柏
.
中国专利
:CN101162692A
,2008-04-16
[9]
硅片刻蚀设备
[P].
蒋旭东
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蒋旭东
;
张弛
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张弛
;
王志刚
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王志刚
;
王四海
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王四海
;
蒋成斌
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蒋成斌
;
顾建
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顾建
.
中国专利
:CN111916376A
,2020-11-10
[10]
硅片刻蚀方法
[P].
胡竞之
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胡竞之
;
蒋中伟
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蒋中伟
.
中国专利
:CN105097488A
,2015-11-25
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