硅片刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410208594.5

申请日：

2014-05-16

公开(公告)号：

CN105097488A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

胡竞之蒋中伟

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2019-05-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请公布日:20151125
2017-10-10	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760384059 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2014102085945 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更后:100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638494356 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2014102085945 申请日:20140516

共 50 条

[1]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

刘厥扬 .

中国专利 :CN110767545A ,2020-02-07

[4]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[5]

硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09

[6]

一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片 [P].

高祎璠 ;

刘恒 ;

郑学恒 ;

路浩通 .

中国专利 :CN119529845A ,2025-02-28

[7]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[8]

一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统 [P].

袁陨来 ;

吴帅 ;

张鹏程 ;

王建波 ;

吕俊 .

中国专利 :CN114724942A ,2022-07-08

[9]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266B ,2025-08-22

[10]

硅片刻蚀设备 [P].

蒋旭东 ;

张弛 ;

王志刚 ;

王四海 ;

蒋成斌 ;

顾建 .

中国专利 :CN111916376A ,2020-11-10

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