一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411431165.4

申请日：

2024-10-14

公开(公告)号：

CN119529845A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

高祎璠刘恒郑学恒路浩通

申请人：

航天科工防御技术研究试验中心

申请人地址：

100085 北京市海淀区永定路50号

IPC主分类号：

C09K13/08

IPC分类号：

H01L21/306 H10F77/70

代理机构：

北京风雅颂专利代理有限公司 11403

代理人：

孙晓凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/08申请日:20241014

共 50 条

[1]

一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统 [P].

袁陨来 ;

吴帅 ;

张鹏程 ;

王建波 ;

吕俊 .

中国专利 :CN114724942A ,2022-07-08

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[4]

硅片刻蚀方法 [P].

胡竞之 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105097488A ,2015-11-25

[5]

硅片刻蚀方法 [P].

刘厥扬 .

中国专利 :CN110767545A ,2020-02-07

[6]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[7]

硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09

[8]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266B ,2025-08-22

[9]

硅片刻蚀设备 [P].

蒋旭东 ;

张弛 ;

王志刚 ;

王四海 ;

蒋成斌 ;

顾建 .

中国专利 :CN111916376A ,2020-11-10

[10]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266A ,2021-07-23

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