一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统

被引：0

申请号：

CN202210377148.1

申请日：

2022-04-11

公开(公告)号：

CN114724942A

公开(公告)日：

2022-07-08

发明(设计)人：

袁陨来吴帅张鹏程王建波吕俊

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2167 H01L3118

代理机构：

北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435

代理人：

王亚萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	公开	公开
2022-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20220411

共 50 条

[1]

一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片 [P].

高祎璠 ;

刘恒 ;

郑学恒 ;

路浩通 .

中国专利 :CN119529845A ,2025-02-28

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[4]

硅片刻蚀方法 [P].

胡竞之 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105097488A ,2015-11-25

[5]

硅片刻蚀方法 [P].

刘厥扬 .

中国专利 :CN110767545A ,2020-02-07

[6]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[7]

硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09

[8]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266B ,2025-08-22

[9]

硅片刻蚀设备 [P].

蒋旭东 ;

张弛 ;

王志刚 ;

王四海 ;

蒋成斌 ;

顾建 .

中国专利 :CN111916376A ,2020-11-10

[10]

硅片刻蚀装置 [P].

吴佳俊 .

中国专利 :CN113161266A ,2021-07-23

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