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硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011162379.8
申请日：
2020-10-27
公开(公告)号：
CN112349583A
公开(公告)日：
2021-02-09
发明(设计)人：
衡鹏
申请人：
申请人地址：
710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
H01L2167
H01L2166
代理机构：
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人：
许静;张博
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20201027 |
| 2022-07-12 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/306 登记生效日:20220630 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟材料科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室 变更后权利人:710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟材料技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 2021-02-09 | 公开 | 公开 |