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硅片刻蚀的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200610164844.5
申请日：
2006-12-06
公开(公告)号：
CN101197269A
公开(公告)日：
2008-06-11
发明(设计)人：
荣延栋
申请人：
申请人地址：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
H01L213065
代理机构：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人：
赵镇勇
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-05-19 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-10 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/306 变更事项:专利权人 变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 变更后:北京北方华创微电子装备有限公司 变更事项:地址 变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |
| 2008-08-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2008-06-11 | 公开 | 公开 |