半导体硅片刻蚀工艺的控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610169566.2

申请日：

2006-12-22

公开(公告)号：

CN101207004A

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

陈卓

申请人：

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2166 H01L213065 C23F400 G05B1101 G05B1904

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司

代理人：

赵镇勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-25	公开	公开
2010-09-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007827283 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2006101695662 公开日:20080625
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[3]

硅片刻蚀方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101162692A ,2008-04-16

[4]

硅片刻蚀方法 [P].

胡竞之 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105097488A ,2015-11-25

[5]

硅片刻蚀方法 [P].

刘厥扬 .

中国专利 :CN110767545A ,2020-02-07

[6]

硅片刻蚀设备 [P].

姚立强 .

中国专利 :CN101221905A ,2008-07-16

[7]

硅片刻蚀方法 [P].

孙静 .

中国专利 :CN101179021A ,2008-05-14

[8]

清洗硅片刻蚀腔室的方法 [P].

付春江 .

中国专利 :CN100571903C ,2008-06-25

[9]

硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置 [P].

衡鹏 .

中国专利 :CN112349583A ,2021-02-09

[10]

一种硅片刻蚀液、硅片刻蚀方法及硅片 [P].

高祎璠 ;

刘恒 ;

郑学恒 ;

路浩通 .

中国专利 :CN119529845A ,2025-02-28

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