三相全桥模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911172519.7

申请日：

2019-11-26

公开(公告)号：

CN110752208A

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

朱袁正周锦程朱久桃

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区研发二路以南，研发一路以东

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L23495 H01L2150 H02M100

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	公开	公开
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20191126

共 50 条

[1]

三相全桥模块及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

朱久桃 .

中国专利 :CN110752208B ,2024-11-05

[2]

三相全桥模块 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

朱久桃 .

中国专利 :CN210778580U ,2020-06-16

[3]

三相全桥功率模块 [P].

和巍巍 ;

汪之涵 ;

杨柳 .

中国专利 :CN307804114S ,2023-01-20

[4]

三相全桥功率模块 [P].

陈睿韬 ;

牛利刚 ;

薛傲 ;

郑忠庆 ;

邓九屹 ;

尹志坚 ;

孔维华 ;

赵振中 ;

王毅 .

中国专利 :CN221176218U ,2024-06-18

[5]

用于三相电源初级全桥整流的三相全桥式整流模块 [P].

沈富德 .

中国专利 :CN204947907U ,2016-01-06

[6]

封装的三相全桥式整流模块 [P].

沈富德 .

中国专利 :CN204886720U ,2015-12-16

[7]

三相全桥式整流封装模块 [P].

沈富德 .

中国专利 :CN204859006U ,2015-12-09

[8]

三相全桥功率集成MOSFET模块 [P].

田鹏 ;

于今 ;

何剑 .

中国专利 :CN215731698U ,2022-02-01

[9]

三相全桥快恢复整流模块 [P].

刘宏伟 .

中国专利 :CN203481216U ,2014-03-12

[10]

功率半导体模块（三相全桥） [P].

时海定 ;

邵钰 ;

常桂钦 ;

罗海辉 ;

刘元剑 .

中国专利 :CN309281061S ,2025-05-09

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