半导体光刻的投射曝光设备

被引：0

申请号：

CN202080077610.5

申请日：

2020-11-04

公开(公告)号：

CN114651213A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

T.格鲁纳

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G02B2700 G02B700 G02B702

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20201104
2022-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

德国专利 :CN114514472B ,2025-08-05

[2]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

中国专利 :CN114514472A ,2022-05-17

[3]

用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

K·里夫 .

德国专利 :CN117546098A ,2024-02-09

[4]

用于半导体光刻的投射曝光设备和方法 [P].

J·哈廷杰斯 ;

B·韦勒赫 ;

A·拉巴 ;

J·利珀特 ;

E·洛普斯特拉 .

德国专利 :CN120112860A ,2025-06-06

[5]

用于半导体光刻的光学元件和投射曝光设备 [P].

D·巴德 ;

M·曼格 ;

M·拉布 ;

A·拉巴 .

德国专利 :CN119547015A ,2025-02-28

[6]

用于半导体光刻的投射曝光设备中的振动衰减 [P].

彼得.克洛希 ;

迈克尔.林格尔 ;

马库斯.韦斯 .

中国专利 :CN102159996A ,2011-08-17

[7]

具有改进热传递的半导体光刻的投射曝光设备 [P].

U.韦伯 ;

W.安德尔 .

中国专利 :CN110312969B ,2019-10-08

[8]

包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

萨沙.布莱迪斯特尔 ;

奥拉夫.康拉迪 ;

阿里夫.卡齐 .

中国专利 :CN102428408B ,2012-04-25

[9]

具有减小的热形变的半导体光刻的投射曝光设备 [P].

H.比格 .

中国专利 :CN109791372A ,2019-05-21

[10]

投射光刻的投射曝光设备 [P].

A.埃普尔 .

中国专利 :CN104380205B ,2015-02-25

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