学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

用于半导体光刻的光学元件和投射曝光设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380051942.X
申请日：
2023-05-23
公开(公告)号：
CN119547015A
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
D·巴德 M·曼格 M·拉布 A·拉巴
申请人：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址：
德国上科亨
IPC主分类号：
G03F7/00
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王蕊瑞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/00申请日:20230523
2025-02-28 公开 公开
共 50 条
[1]
用于半导体光刻的投射曝光设备和方法 [P]. 
J·哈廷杰斯 ;
B·韦勒赫 ;
A·拉巴 ;
J·利珀特 ;
E·洛普斯特拉 .
德国专利 :CN120112860A ,2025-06-06
[2]
半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
J.库格勒 ;
M.费金 ;
S.泽尔特 ;
S.亨巴赫尔 ;
B.盖尔里奇 .
德国专利 :CN114514472B ,2025-08-05
[3]
半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
J.库格勒 ;
M.费金 ;
S.泽尔特 ;
S.亨巴赫尔 ;
B.盖尔里奇 .
中国专利 :CN114514472A ,2022-05-17
[4]
用于半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
K·里夫 .
德国专利 :CN117546098A ,2024-02-09
[5]
半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
T.格鲁纳 .
中国专利 :CN114651213A ,2022-06-21
[6]
可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
马库斯·豪夫 ;
乌尔里克·舍恩霍夫 ;
帕亚姆·泰耶巴蒂 ;
迈克尔·蒂尔 ;
蒂尔曼·海尔 ;
奥利·弗吕格 ;
阿里夫·卡齐 ;
亚历山大·索尔霍弗 ;
格哈德·福赫特 ;
约琴·韦伯 ;
托拉尔夫·格鲁纳 ;
阿克赛尔·戈纳迈耶 ;
德克·赫尔韦格 .
中国专利 :CN101784954A ,2010-07-21
[7]
用于半导体光刻的投射曝光设备中的振动衰减 [P]. 
彼得.克洛希 ;
迈克尔.林格尔 ;
马库斯.韦斯 .
中国专利 :CN102159996A ,2011-08-17
[8]
光学组件、用于半导体光刻的投射曝光系统及方法 [P]. 
T·波拉克 .
德国专利 :CN119487448A ,2025-02-18
[9]
包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
萨沙.布莱迪斯特尔 ;
奥拉夫.康拉迪 ;
阿里夫.卡齐 .
中国专利 :CN102428408B ,2012-04-25
[10]
用于稳定光学组件的粘合连接部的方法、光学组件和用于半导体光刻的投射曝光设备 [P]. 
F·亨纳 ;
M·拉布 ;
K·克鲁格 ;
A·维特 ;
T·波拉克 ;
J·兰格尔 .
德国专利 :CN119678087A ,2025-03-21
12345