光学组件、用于半导体光刻的投射曝光系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380050991.1

申请日：

2023-05-10

公开(公告)号：

CN119487448A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

T·波拉克

申请人：

卡尔蔡司SMT有限责任公司

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G03F7/00

IPC分类号：

B81B3/00 G02B5/10 G02B7/18 G02B26/00

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/00申请日:20230510
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体光刻的光学元件和投射曝光设备 [P].

D·巴德 ;

M·曼格 ;

M·拉布 ;

A·拉巴 .

德国专利 :CN119547015A ,2025-02-28

[2]

用于半导体光刻的投射曝光设备和方法 [P].

J·哈廷杰斯 ;

B·韦勒赫 ;

A·拉巴 ;

J·利珀特 ;

E·洛普斯特拉 .

德国专利 :CN120112860A ,2025-06-06

[3]

用于稳定光学组件的粘合连接部的方法、光学组件和用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

F·亨纳 ;

M·拉布 ;

K·克鲁格 ;

A·维特 ;

T·波拉克 ;

J·兰格尔 .

德国专利 :CN119678087A ,2025-03-21

[4]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

德国专利 :CN114514472B ,2025-08-05

[5]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

中国专利 :CN114514472A ,2022-05-17

[6]

一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法 [P].

葛亮 ;

杨志勇 .

中国专利 :CN106933049A ,2017-07-07

[7]

用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

K·里夫 .

德国专利 :CN117546098A ,2024-02-09

[8]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

T.格鲁纳 .

中国专利 :CN114651213A ,2022-06-21

[9]

包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

萨沙.布莱迪斯特尔 ;

奥拉夫.康拉迪 ;

阿里夫.卡齐 .

中国专利 :CN102428408B ,2012-04-25

[10]

用于半导体光刻的投射曝光设备中的振动衰减 [P].

彼得.克洛希 ;

迈克尔.林格尔 ;

马库斯.韦斯 .

中国专利 :CN102159996A ,2011-08-17

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