可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880104142.5

申请日：

2008-05-06

公开(公告)号：

CN101784954A

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

马库斯·豪夫乌尔里克·舍恩霍夫帕亚姆·泰耶巴蒂迈克尔·蒂尔蒂尔曼·海尔奥利·弗吕格阿里夫·卡齐亚历山大·索尔霍弗格哈德·福赫特约琴·韦伯托拉尔夫·格鲁纳阿克赛尔·戈纳迈耶德克·赫尔韦格

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G02F700

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

用于半导体光刻的光学元件和投射曝光设备 [P].

D·巴德 ;

M·曼格 ;

M·拉布 ;

A·拉巴 .

德国专利 :CN119547015A ,2025-02-28

[2]

对准元件的致动器装置、半导体光刻的投射曝光设备及对准元件的方法 [P].

B.普尼尼 .

中国专利 :CN112805626A ,2021-05-14

[3]

用于对准光学元件的致动器装置和方法、光学组装件和投射曝光设备 [P].

B.普尼尼 .

中国专利 :CN113711099A ,2021-11-26

[4]

用于对准光学元件的致动器装置和方法、光学组装件和投射曝光设备 [P].

B.普尼尼 .

德国专利 :CN113711099B ,2024-05-14

[5]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

德国专利 :CN114514472B ,2025-08-05

[6]

半导体光刻的投射曝光设备 [P].

J.库格勒 ;

M.费金 ;

S.泽尔特 ;

S.亨巴赫尔 ;

B.盖尔里奇 .

中国专利 :CN114514472A ,2022-05-17

[7]

用于半导体光刻的投射曝光设备和方法 [P].

J·哈廷杰斯 ;

B·韦勒赫 ;

A·拉巴 ;

J·利珀特 ;

E·洛普斯特拉 .

德国专利 :CN120112860A ,2025-06-06

[8]

用于稳定光学组件的粘合连接部的方法、光学组件和用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

F·亨纳 ;

M·拉布 ;

K·克鲁格 ;

A·维特 ;

T·波拉克 ;

J·兰格尔 .

德国专利 :CN119678087A ,2025-03-21

[9]

用于生产投射曝光设备的光学元件的中间产品、投射曝光设备的光学元件、中间产品的生产方法和光学元件的生产方法 [P].

S·霍夫曼 ;

C·施密特 .

德国专利 :CN119768735A ,2025-04-04

[10]

包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备 [P].

萨沙.布莱迪斯特尔 ;

奥拉夫.康拉迪 ;

阿里夫.卡齐 .

中国专利 :CN102428408B ,2012-04-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	公开	公开
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005822086 IPC(主分类):G02F 7/00 专利申请号:2008801041425 申请日:20080506
2015-03-25	授权	授权