半导体电力变换装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880006056.0

申请日：

2008-02-20

公开(公告)号：

CN101622779A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

中村秀生渡边智之大野裕孝稻垣信明

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H02M748

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷;南霆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-27	授权	授权
2010-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置 [P].

上马场龙 ;

多留谷政良 ;

曾根田真也 .

中国专利 :CN108695317A ,2018-10-23

[2]

半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 [P].

西康一 ;

铃木健司 ;

高桥彻雄 ;

山下润一 .

中国专利 :CN110197826B ,2019-09-03

[3]

半导体装置及其制造方法和电力变换装置 [P].

山本圭 ;

六分一穗隆 .

中国专利 :CN113366629A ,2021-09-07

[4]

半导体装置及其制造方法、电力变换装置 [P].

香川泰宏 .

中国专利 :CN110176487B ,2019-08-27

[5]

半导体装置及其制造方法、电力变换装置 [P].

须贺原和之 ;

冈部博明 ;

吉田基 .

中国专利 :CN108886055A ,2018-11-23

[6]

电力用半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 [P].

浅地伸洋 ;

冈田一也 ;

石桥秀俊 .

中国专利 :CN114730758A ,2022-07-08

[7]

电力用半导体装置及其制造方法、以及电力变换装置 [P].

竹胁善朗 ;

内田祥久 ;

田中阳 .

中国专利 :CN110828410A ,2020-02-21

[8]

电力用半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 [P].

近藤聪 ;

梶勇辅 .

中国专利 :CN108695261B ,2018-10-23

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法、电力变换装置 [P].

古川智康 ;

三好智之 .

日本专利 :CN117461145A ,2024-01-26

[10]

电力用半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 [P].

浅地伸洋 ;

冈田一也 ;

石桥秀俊 .

日本专利 :CN114730758B ,2025-06-17

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