集成电路去耦电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910226061.9

申请日：

2009-11-25

公开(公告)号：

CN101753008B

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

I·拉希姆 W·B·维斯特 M·W·王

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H02M144

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

鄷迅;陈宇萱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	公开	公开
2015-02-25	授权	授权
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004901890 IPC(主分类):H02M 1/44 专利申请号:2009102260619 申请日:20091125

共 50 条

[1]

带有集成去耦电容器的集成电路 [P].

托德·阿兰·克里斯蒂安森 ;

约汉·爱德华·希茨二世 .

中国专利 :CN1162843A ,1997-10-22

[2]

去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P].

张现聚 ;

苏志强 ;

丁冲 .

中国专利 :CN103247697B ,2013-08-14

[3]

集成电路电容器 [P].

李受哲 ;

张东烈 .

中国专利 :CN100431151C ,2004-04-14

[4]

集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法 [P].

P·G·埃玛 ;

黄威 ;

S·M·盖茨 .

中国专利 :CN1134066C ,1999-07-07

[5]

集成电路中的集成电容器 [P].

E·N·斯蒂芬诺夫 ;

P·K·阿布达 .

中国专利 :CN114582885A ,2022-06-03

[6]

去耦电容器电路系统 [P].

C·H·库尔 .

中国专利 :CN103000630B ,2013-03-27

[7]

集成电路电容器 [P].

汉斯·哈贝尔施塔特 .

中国专利 :CN102545815A ,2012-07-04

[8]

接触焊盘下方的MIM去耦电容器 [P].

谢豪泰 ;

谢祯辉 .

中国专利 :CN101847629B ,2010-09-29

[9]

采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路 [P].

A·马扎基 .

中国专利 :CN107919360B ,2018-04-17

[10]

集成电路的电容器 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN101299428B ,2008-11-05

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