有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236146.5

申请日：

2009-10-20

公开(公告)号：

CN102040192B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

张晓宏陈欢王辉欧雪梅李述汤

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条2号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

C01B33021 C23F124

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079710293 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009102361465 申请日:20091020
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20091020 授权公告日:20130403 终止日期:20181020
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

吴摞 ;

叶长辉 .

中国专利 :CN102642807A ,2012-08-22

[2]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[3]

一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法 [P].

师文生 ;

刘运宇 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102079506A ,2011-06-01

[4]

一种有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

左则文 .

中国专利 :CN103112819A ,2013-05-22

[5]

光滑表面硅纳米线阵列的制备方法 [P].

沈文忠 ;

谢卫强 .

中国专利 :CN102126724A ,2011-07-20

[6]

硅纳米线阵列膜电极的制备方法 [P].

黄睿 ;

朱静 .

中国专利 :CN101719543B ,2010-06-02

[7]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

尹明汉 ;

李世宁 .

中国专利 :CN105555705B ,2016-05-04

[8]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李亚丽 ;

王艳周 ;

栗军帅 .

中国专利 :CN106409653B ,2017-02-15

[9]

一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法 [P].

胡俊青 ;

李文尧 ;

李高 ;

刘倩 ;

彭彦玲 ;

薛雅芳 ;

蒋林 .

中国专利 :CN102694075A ,2012-09-26

[10]

一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

胡俊青 ;

陈辉辉 ;

陈海华 ;

王娜 ;

邹儒佳 ;

张震宇 ;

余利 .

中国专利 :CN101973517A ,2011-02-16

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