一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910796831.7

申请日：

2019-08-27

公开(公告)号：

CN110717240A

公开(公告)日：

2020-01-21

发明(设计)人：

吕红亮乔世兴李苗李少军武岳张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

G06F3020

IPC分类号：

G06F3030 G06F3032 G06F1716 G06F11910

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

张捷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-21	公开	公开
2020-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/20 申请日:20190827
2021-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法 [P].

吕红亮 ;

乔世兴 ;

李少军 ;

武岳 ;

张玉明 .

中国专利 :CN110717242A ,2020-01-21

[2]

一种GaN HEMT噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN106294976A ,2017-01-04

[3]

一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法 [P].

吕红亮 ;

乔世兴 ;

李少军 ;

张玉明 ;

武岳 .

中国专利 :CN110717241B ,2020-01-21

[4]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313B ,2025-11-11

[5]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313A ,2025-06-03

[6]

一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法 [P].

陈勇波 .

中国专利 :CN106372357B ,2017-02-01

[7]

一种InP HEMT非线性等效电路模型的参数提取方法 [P].

徐佳卉 ;

张傲 ;

高建军 .

中国专利 :CN116011369B ,2025-07-04

[8]

天线等效电路模型的建立方法 [P].

王勇 ;

李甲子 ;

吴忠敏 .

中国专利 :CN101237244A ,2008-08-06

[9]

一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构 [P].

刘志宏 ;

胡友 ;

董高峰 ;

沈季乾 ;

邢伟川 ;

张进成 .

中国专利 :CN120145971B ,2025-11-18

[10]

一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构 [P].

刘志宏 ;

胡友 ;

董高峰 ;

沈季乾 ;

邢伟川 ;

张进成 .

中国专利 :CN120145971A ,2025-06-13

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