一种InP HEMT非线性等效电路模型的参数提取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211675145.2

申请日：

2022-12-26

公开(公告)号：

CN116011369B

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

徐佳卉张傲高建军

申请人：

华东师范大学

申请人地址：

200241 上海市闵行区东川路500号

IPC主分类号：

G06F30/3308

IPC分类号：

代理机构：

上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215

代理人：

徐筱梅;张翔

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法 [P].

吕红亮 ;

乔世兴 ;

李少军 ;

张玉明 ;

武岳 .

中国专利 :CN110717241B ,2020-01-21

[2]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313B ,2025-11-11

[3]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313A ,2025-06-03

[4]

一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法 [P].

吕红亮 ;

乔世兴 ;

李苗 ;

李少军 ;

武岳 ;

张玉明 .

中国专利 :CN110717240A ,2020-01-21

[5]

一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法 [P].

吕红亮 ;

乔世兴 ;

李少军 ;

武岳 ;

张玉明 .

中国专利 :CN110717242A ,2020-01-21

[6]

硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法 [P].

周天舒 ;

蔡描 .

中国专利 :CN102411659A ,2012-04-11

[7]

一种压电单晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109067242A ,2018-12-21

[8]

一种压电多晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109190201A ,2019-01-11

[9]

一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109299506A ,2019-02-01

[10]

一种新型场效应晶体管小信号等效电路模型参数提取方法 [P].

黄风义 ;

魏震楠 ;

唐旭升 ;

张有明 .

中国专利 :CN110287582A ,2019-09-27

← 1 2 3 4 5 →