一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810931377.7
申请日
2018-08-15
公开(公告)号
CN109299506A
公开(公告)日
2019-02-01
发明(设计)人
马建国 赵升 周绍华
申请人
申请人地址
300072 天津市南开区卫津路92号
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201
代理人
吴学颖
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种压电单晶片等效电路模型参数提取方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN109067242A ,2018-12-21
[2]
一种压电多晶片等效电路模型参数提取方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN109190201A ,2019-01-11
[3]
一种压电悬臂梁电路模型参数提取方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN109190203A ,2019-01-11
[4]
一种压电振动能量收集器件等效电路参数提取方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN109217726A ,2019-01-15
[5]
一种压电振动发电机等效电路参数确定方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN109067243A ,2018-12-21
[6]
硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法 [P]. 
周天舒 ;
蔡描 .
中国专利 :CN102411659A ,2012-04-11
[7]
器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法 [P]. 
唐旭升 ;
黄风义 ;
张有明 ;
李剑宏 ;
杨江 .
中国专利 :CN104298837B ,2017-06-13
[8]
一种基于电信号测量的压电发电机等效电路参数确定方法 [P]. 
马建国 ;
赵升 ;
周绍华 .
中国专利 :CN108828444A ,2018-11-16
[9]
一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P]. 
董志华 ;
欧阳御龙 .
中国专利 :CN120087313A ,2025-06-03
[10]
一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P]. 
董志华 ;
欧阳御龙 .
中国专利 :CN120087313B ,2025-11-11