硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110383514.6

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN102411659A

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

周天舒蔡描

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-11	公开	公开
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684703352 IPC(主分类):G06F 17/50 专利号:ZL2011103835146 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2013-07-24	授权	授权
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250911705 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2011103835146 申请日:20111125

共 50 条

[1]

器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法 [P].

唐旭升 ;

黄风义 ;

张有明 ;

李剑宏 ;

杨江 .

中国专利 :CN104298837B ,2017-06-13

[2]

射频压焊块等效电路模型及其参数提取方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN102419783B ,2012-04-18

[3]

一种压电单晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109067242A ,2018-12-21

[4]

一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109299506A ,2019-02-01

[5]

一种压电多晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109190201A ,2019-01-11

[6]

一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法 [P].

赵文生 ;

郑杰 ;

徐魁文 ;

王高峰 .

中国专利 :CN106354904B ,2017-01-25

[7]

肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101441670B ,2009-05-27

[8]

一种InP HEMT非线性等效电路模型的参数提取方法 [P].

徐佳卉 ;

张傲 ;

高建军 .

中国专利 :CN116011369B ,2025-07-04

[9]

用于集成电路的片上电感等效电路模型及参数提取方法 [P].

王瀚升 ;

何伟梁 ;

张明辉 ;

唐旭升 ;

黄风义 .

中国专利 :CN106777483A ,2017-05-31

[10]

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P].

董志华 ;

欧阳御龙 .

中国专利 :CN120087313A ,2025-06-03

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