多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810203477.4

申请日：

2008-11-27

公开(公告)号：

CN101413099A

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

张群黄延伟李桂峰

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1422 C23C1454 C23C1458

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

张磊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101290120782 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008102034774 公开日:20090422
2009-04-22	公开	公开
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005818061 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008102034774 申请日:20081127

共 50 条

[1]

非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

黄延伟 ;

李桂峰 .

中国专利 :CN101299423A ,2008-11-05

[2]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[3]

近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

李桂锋 ;

杨铭 .

中国专利 :CN100477133C ,2007-11-28

[4]

复合透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

朱奕漪 ;

刘良玉 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN105140312B ,2015-12-09

[5]

掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法 [P].

杨铭 ;

张群 ;

施展 .

中国专利 :CN102110492A ,2011-06-29

[6]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[7]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[8]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[9]

一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

刘生忠 ;

肖锋伟 ;

訾威 .

中国专利 :CN106048530A ,2016-10-26

[10]

一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

王革 ;

李媛媛 ;

彭铮 ;

彭德香 ;

王文静 .

中国专利 :CN102544233A ,2012-07-04

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