晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110300269.8

申请日：

2011-09-28

公开(公告)号：

CN102315131B

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

刘正超

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700523320 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103002698 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2016-03-09	授权	授权
2013-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101556927852 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103002698 申请日:20110928
2012-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管的制作方法 [P].

李全波 ;

张瑜 ;

崇二敏 .

中国专利 :CN102881597A ,2013-01-16

[2]

晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102468178B ,2012-05-23

[3]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[4]

CMOS晶体管的制作方法 [P].

沈满华 ;

孟晓莹 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102446854B ,2012-05-09

[5]

NMOS晶体管的制作方法 [P].

谢欣云 ;

陈志豪 .

中国专利 :CN102468162B ,2012-05-23

[6]

晶体管的制作方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN102468173A ,2012-05-23

[7]

晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102420138A ,2012-04-18

[8]

晶体管的制作方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103137481B ,2013-06-05

[9]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06

[10]

晶体管的制作方法 [P].

童浩 ;

严琰 ;

曾以志 .

中国专利 :CN104517844B ,2015-04-15

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