晶体管的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210388900.9
申请日
2012-10-12
公开(公告)号
CN102881597A
公开(公告)日
2013-01-16
发明(设计)人
李全波 张瑜 崇二敏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
陆花
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102420138A ,2012-04-18
[2]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930922B ,2010-12-29
[3]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
沈满华 ;
孟晓莹 ;
黄怡 .
中国专利 :CN102446854B ,2012-05-09
[4]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29
[5]
栅极及NMOS晶体管的制作方法 [P]. 
黄怡 ;
张海洋 ;
陈海华 .
中国专利 :CN101399192A ,2009-04-01
[6]
晶体管的制作方法 [P]. 
史运泽 ;
徐友锋 ;
刘焕新 .
中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06
[7]
晶体管的制作方法 [P]. 
刘正超 .
中国专利 :CN102315131B ,2012-01-11
[8]
晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102468178B ,2012-05-23
[9]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN103730420A ,2014-04-16
[10]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
甘正浩 ;
冯军宏 .
中国专利 :CN102790013A ,2012-11-21