CMOS晶体管的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110126339.2
申请日
2011-05-16
公开(公告)号
CN102790013A
公开(公告)日
2012-11-21
发明(设计)人
甘正浩 冯军宏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
H01L21324
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
张彬 .
中国专利 :CN102915968A ,2013-02-06
[2]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN103730420A ,2014-04-16
[3]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
沈满华 ;
孟晓莹 ;
黄怡 .
中国专利 :CN102446854B ,2012-05-09
[4]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
平延磊 .
中国专利 :CN102983104B ,2013-03-20
[5]
CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 ;
鲍宇 .
中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24
[6]
CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 .
中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24
[7]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103545257A ,2014-01-29
[8]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
吴金刚 ;
黄晓辉 .
中国专利 :CN102420185A ,2012-04-18
[9]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN104037130B ,2014-09-10
[10]
CMOS晶体管及其制作方法 [P]. 
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN101930947B ,2010-12-29