CMOS晶体管的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010299348.7
申请日
2010-09-25
公开(公告)号
CN102420185A
公开(公告)日
2012-04-18
发明(设计)人
吴金刚 黄晓辉
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
张彬 .
中国专利 :CN102915968A ,2013-02-06
[2]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN104037130B ,2014-09-10
[3]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN103730420A ,2014-04-16
[4]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
甘正浩 ;
冯军宏 .
中国专利 :CN102790013A ,2012-11-21
[5]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
沈满华 ;
孟晓莹 ;
黄怡 .
中国专利 :CN102446854B ,2012-05-09
[6]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
平延磊 .
中国专利 :CN102983104B ,2013-03-20
[7]
CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 ;
鲍宇 .
中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24
[8]
CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P]. 
平延磊 .
中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24
[9]
CMOS晶体管的制作方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103545257A ,2014-01-29
[10]
晶体管的制作方法 [P]. 
史运泽 ;
徐友锋 ;
刘焕新 .
中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06