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碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201611224426.0
申请日：
2016-12-27
公开(公告)号：
CN107026205B
公开(公告)日：
2017-08-08
发明(设计)人：
胁本节子
岩谷将伸
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2916
H01L2910
H01L2104
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
杨敏;金玉兰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-08-08 | 公开 | 公开 |
| 2021-08-03 | 授权 | 授权 |
| 2018-11-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20161227 |