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碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法
被引：0
申请号：
CN202080094157.9
申请日：
2020-01-27
公开(公告)号：
CN115004342A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
川畑直之
永久雄一
田中贵规
岩松俊明
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L21205
H01L21265
H01L2906
H01L2912
H01L29861
H01L29868
代理机构：
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人：
金春实
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200127 |
| 2022-09-02 | 公开 | 公开 |