一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821802315.8

申请日：

2018-11-02

公开(公告)号：

CN209144316U

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

李长进李加林李宏刚刘家朋孙元行刘鹏飞高超

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232

代理人：

吴绍群

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	授权	授权
2020-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 29/36 变更事项:专利权人变更前:山东天岳先进材料科技有限公司变更后:山东天岳先进科技股份有限公司变更事项:地址变更前:250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01 变更后:250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

共 50 条

[1]

一种制备碳化硅晶体的热场结构 [P].

高鑫 ;

过逸柯 ;

何方汀 ;

郑佳洋 ;

章璧怡 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222594076U ,2025-03-11

[2]

碳化硅晶体生长热场结构 [P].

李远田 .

中国专利 :CN223342870U ,2025-09-16

[3]

一种高品质碳化硅晶体的制备方法及其装置 [P].

李长进 ;

李加林 ;

李宏刚 ;

刘家朋 ;

孙元行 ;

刘鹏飞 ;

高超 ;

宗艳民 .

中国专利 :CN109518276A ,2019-03-26

[4]

一种制备高品质碳化硅晶体生长装置 [P].

高冰 ;

李俊 ;

叶宏亮 .

中国专利 :CN214830782U ,2021-11-23

[5]

一种碳化硅晶体生长的热场结构 [P].

练小正 ;

许照原 .

中国专利 :CN217351623U ,2022-09-02

[6]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[7]

制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法 [P].

A·鲍威尔 ;

V·F·采夫科夫 ;

M·布拉迪 ;

R·T·莱昂纳德 .

中国专利 :CN101072901A ,2007-11-14

[8]

一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法 [P].

邢鹏飞 ;

姜胜南 ;

崔晓华 ;

刘洋 ;

都兴红 ;

高波 ;

李大刚 .

中国专利 :CN107651691A ,2018-02-02

[9]

一种用于碳化硅晶体生长的热场 [P].

龙博腾 ;

许耀迪 .

中国专利 :CN221275960U ,2024-07-05

[10]

一种碳化硅晶体的制备方法 [P].

王升 ;

陈建军 ;

孔海宽 ;

张永良 .

中国专利 :CN118064957A ,2024-05-24

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