用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910936527.8

申请日：

2016-02-23

公开(公告)号：

CN110706730A

公开(公告)日：

2020-01-17

发明(设计)人：

F·塔耶 M·巴蒂斯塔

申请人：

申请人地址：

法国鲁塞

IPC主分类号：

G11C1630

IPC分类号：

G11C1632 G11C1634

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	公开	公开
2020-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/30 申请日:20160223

共 50 条

[1]

用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN106448731A ,2017-02-22

[2]

用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

法国专利 :CN110706730B ,2024-07-12

[3]

用于管理EEPROM的写入周期的方法 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN106558340A ,2017-04-05

[4]

管理存储器子系统中的存储器单元的写入干扰 [P].

周振明 ;

谢廷俊 ;

C·S·Y·光 .

美国专利 :CN117957519A ,2024-04-30

[5]

EEPROM存储器设备和对应方法 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

法国专利 :CN113223595B ,2025-03-25

[6]

EEPROM存储器设备和对应方法 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN113223595A ,2021-08-06

[7]

使用随机刷新周期管理存储器子系统中的存储器单元的写入干扰 [P].

C·S·Y·光 ;

田昇埈 .

中国专利 :CN115705901A ,2023-02-17

[8]

具有低电压读取路径及高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元 [P].

肯特·休依特 ;

杰克·王 ;

博米·陈 ;

索努·达里亚纳尼 ;

杰弗里·A·沙尔德 ;

丹尼尔·欧法利兹 ;

梅尔·海马斯 .

中国专利 :CN105051903B ,2015-11-11

[9]

用于在EEPROM存储器中进行写入的方法和相应的存储器 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN106448730A ,2017-02-22

[10]

存储器电路和写入存储器单元的方法 [P].

魏焕昇 ;

沈泽民 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113380289A ,2021-09-10

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